BelNET logoНаучно-образовательный портал ядерных знаний Республики Беларусь BelNET (Belarusian Nuclear Education and Training)

Леонид Вениаминович Келдыш

Имя: Леонид Вениаминович Келдыш
Дата: 7 апреля 1931 г.

Леонид Вениаминович Келдыш (Москва, РСФСР, 7 апреля 1931 – 11 ноября 2016, там же) – советский и российский физик-теоретик, академик РАН (академик АН СССР с 1976), доктор физико-математических наук (1965), профессор. Работы в области квантовой теории систем многих частиц, физики твердого тела, физики полупроводников, квантовой радиофизики. Построил систематическую теорию туннельных явлений в полупроводниках (вторая половина 1950-х), впервые провел корректный расчёт вероятности туннельного перехода с учётом зонной структуры материала и предсказал так называемый непрямой туннельный эффект, протекающий с участием фононов (1957), предсказал эффект сдвига полос поглощения в полупроводниковых кристаллах под влиянием электрического поля – эффект Франца-Келдыша (1958). Предложил использовать пространственно-периодические поля (сверхрешетки) для управления электронным спектром и электронными свойствами кристаллов (1962); позже сверхрешётки стали основой многих оптоэлектронных устройств. Показал, что многоквантовый фотоэффект и высокочастотный туннельный эффект являются различными предельными случаями одного и того же процесса: так называемый параметр Келдыша определяет границу между многофотонным и туннельным режимами. Построил общую теорию этих явлений, заложив основу нового направления — физики взаимодействия интенсивного лазерного излучения с веществом (1964). Для теоретического описания состояний и кинетики сильно неравновесных квантовых систем разработал специальную диаграммную технику (1964). Этот подход, являющаяся обобщением фейнмановских диаграмм на неравновесные процессы и известный также как формализм Швингера – Келдыша, широко используется в различных разделах физики, в частности при описании взаимодействия конденсированных систем с лазерным излучением. Совместно с Ю. В. Копаевым предложил известную модель фазового перехода металл-полупроводник, известную как «экситонный диэлектрик» (1964). Вместе с А. Н. Козловым предсказал бозе-эйнштейновскую конденсацию экситонов, а также показал, что неравновесные экситоны в сильно возбуждённом полупроводнике должны формировать электронно-дырочные капли (1968). В ряде работ Л. В. Келдыш исследовал явления, связанные с глубоко лежащими уровнями в полупроводниках, ударной ионизацией, «фононным ветром» и т.д. Награжден Золотой медалью имени С. И. Вавилова РАН (2005), Большая золотая медаль имени М. В. Ломоносова (2015) и др.